Dresden, 24.7.2012: Der Freistaat Sachsen und die EU fördern die Dresdner Entwicklung von Spezial-Halbleitern mit über 3,5 Millionen Euro. Dabei handelt es sich um 200 Millimeter große Siliziumscheiben (Wafer), die mit einer Gallium-Stickstoff-Verbindung (GaN) beschichtet werden, wie sie für die Produktion von Leuchtdioden und Leistungselektronik benötigt werden. Einen Förderbescheid über 2,6 Millionen Euro hat Landesforschungs-Ministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) heute an die „Azzurro“Fabrik in Dresden übergeben. Eine weitere Tranche über 930.000 Euro hat sie bereits dem Projektpartner „Namlab“ – einem Elektronikinstitut der TU Dresden – zugesagt. Stark im Nehmen: GaN-Chips stecken Hochspannung besser weg Gallium-Nitrid-Chips sind zwar ein Nischenmarkt im Vergleich zur Silizium-Mikroelektronik. Im Zuge der „Energiewende“ wächst aber ihre Bedeutung. Denn nur GaN-Bauelemente vertragen die starken Ströme, die hohen Gleich- und Wechsel-Spannungen, wie sie zum Beispiel in Solar- und Windkraftwerken oder in Elektroautos auftreten. Auch für die Leuchtdionden-Produktion (LED), für Computertelefone (Smartphones) und Bluray-Videogeräte (blaue Laser) sie benötigt. Einsparpotenzial entspricht gesamter Solar- und Windkraft-Energieerzeugung Im Vergleich zu Silizium-Chips können GaN-Halbleiter bis zu 90 Prozent der Strom-Konversionsverluste einsparen, wie Azzurro-Chef Erwin Wolf betont. Flächendeckend eingesetzt entspreche …
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