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Ex-Forschungschef: TSMC torpedierte Umstieg auf 450-mm-Wafer

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Taiwanesen hatten laut Chiang Shang-Yi Angst, von Intel und Samsung an die Wand gespielt zu werden San Francisco/Taipeh/Dresden, 9. August 2022. Vor rund zehn Jahren planten die Großen der Halbleiterbranche einen Quantensprung: Sie wollten Teile ihrer Chipproduktion von 300 auf 450 Millimeter große Siliziumscheiben (Wafer) umstellen und damit anderthalb bis doppelt so viele Schaltkreise pro Fertigungsdurchgang herstellen. Intel, TSMC, Samsung, IBM und Globalfoundries gründeten eigens dafür ein „Global 450mm Consortium“ (G450C). Auch in Dresden und an anderen Mikroelektronik-Standorten diskutierten die Branchenvertreter über eine eigene europäische 450-mm-Entwicklung. Doch dann schliefen all diese Projekte ein und der Umstieg war gestorben. Das lag nicht allein an den hohen Entwicklungskosten für neue Chipfertigungsanlagen, Transportsysteme und Prozesse, sondern auch am gegenseitigen Umlauern der Großen der Branche. Das hat zumindest Chiang Shang-Yi, der frühere Forschungsdirektor des weltweit größten Chip-Auftragsfertigers TSMC, in einem Interview im kalifornischen „Computer History Museum“ (CHM) behauptet. Eine offizielle Stellungnahme von TSMC steht noch aus. 450-mm-Projekt hätte viele Ressourcen gebunden Zwar habe das taiwanesische Unternehmen den Umstieg zunächst begrüßt. Vor allem der US-Branchenprimus „Intel“ habe darauf gedrängt, Samsung …

Der Beitrag Ex-Forschungschef: TSMC torpedierte Umstieg auf 450-mm-Wafer erschien zuerst auf Oiger.


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