Neues Forschungslabor in Freiberg eröffnet Freiberg, 2. Oktober 2013: Im sächsischen Freiberg hat Landes-Forschungsministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) heute ein Forschungszentrum offiziell eröffnet, das echte Gallium-Nitrid-Scheiben (GaN) für Leistungshalbleiter und Laser-Dioden entwickeln soll. Der Freistaat hatte für die Erstausrüstung 1,6 Millionen Euro gegeben. An den Forschungen im sächsische GaN-Zentrum, die aus Fonds der EU, des Landes Sachsens und des Bundesforschungsministeriums gefördert werden, beteiligen sich das „Namlab“ der TU Dresden, die Bergakademie Freiberg und die „Freiberger Compound Materials GmbH“ (FCM). Neue Laserdioden und Starkstrom-Chips im Visier „Das neue Forschungszentrum ist ein wichtiger Baustein, um unsere Kompetenzen als größter Mikroelektronikstandort Europas auszubauen“, betonte von Schorlemer. „Wir erleben gerade, dass die Forschungsaktivitäten zu Galliumnitrid als Halbleitermaterial für Anwendungen bei Leuchtdioden (LED), Lasern und in der Leistungselektronik international intensiviert werden“, erklärte Prof. Thomas Mikolajick, wissenschaftlicher Leiter und Geschäftsführer der Dresdner NaMLab gGmbH. „Mit dem neuen Forschungszentrum stellen wir sicher, dass Silicon Saxony, Europas größter Mikroelektronikstandort, seine Forschungsaktivitäten marktorientiert voran treiben kann.“ GaN schwimmt bisher noch auf Saphir Galliumnitrid wird bereits heute eingesetzt, um zum Beispiel weiße LEDs überhaupt herstellen …
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