Dresden, 24.7.2012: Der Freistaat Sachsen und die EU fördern die Dresdner Entwicklung von Spezial-Halbleitern mit über 3,5 Millionen Euro. Dabei handelt es sich um 200 Millimeter große Siliziumscheiben (Wafer), die mit einer Gallium-Stickstoff-Verbindung (GaN) beschichtet werden, wie sie für die Produktion von Leuchtdioden und Leistungselektronik benötigt werden. Einen Förderbescheid über 2,6 Millionen Euro hat Landesforschungs-Ministerin … Weiterlesen
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